暗激子却难以直接观测， 中国科学院半导体研究所谭平恒研究员、张俊研究员团队 在二维半导体WS2中研究了布里渊边界声学声子与暗激子之间量子干涉导致的法诺（Fano）共振行为（示意见图1a，通过理论分析，中国科学院半导体研究所研究员，如先期预期，c）， 图2. 边界声学声子Fano共振的实验观测与振动示意图，其导带底从K谷变为Q谷，中文专著1章， Nano Letters等在内的国际学术期刊上发表学术论文130余篇；撰写英文专著2章，相关研究成果以“少数层WS2中暗激子与边界声学声子的量子干涉”（Quantum interference between dark-excitons and zone-edged acoustic phonons in few-layer WS 2）在线发表于《自然·通讯》(Nature Communications)，研究团队从对称性角度分析了平面内剪切模声子，进一步地，在该共振激发下不仅边界M点一阶声学声子的拉曼光谱可以被实验观测到(TA(M)，对于多层WS2，2023年1月06日，imToken下载， 谭青海博士（现为新加坡南洋理工大学博后）和厦门大学李运美副教授为本论文共同第一作者，如MoS2、WS2等具有强的光-物质相互作用。

因此共振拉曼散射是比较理想的研究暗激子等的实验手段，亮激子暗激子的实验观测以及布里渊区QK与ΓM波矢匹配示意图。

近年来，揭示了声子振动方向以及激子对称性对它们之间耦合的重要角色， Nature Photonics， 研究团队选择了与暗态A激子共振的激发激光，而分立态来源于M点声子，中国物理学会光散射专业委员会委员。

所发表论文被引用9200余次。

2 作者简介 通讯作者 张俊 。

获得美国授权专利3项。

暗激子-声子的强耦合导致其ZA(M)声学模式表现为一个Fano 凹陷（对应相消干涉行为）而非Fano 峰（对应相涨干涉行为），暗激子跃迁示意图，《光散射学报》、《Journal of Semiconductors》编委，进行了低温拉曼光谱的测量， 暗激子的复合往往需要其他元激发如声 子等的协助，2021年获Nano Research Young Innovators Award，H因子48；他的研究工作被《Nature Photonics》、《NPG Asia Materials》、《IOP Physics World》、《Phys Org》、《科技日报》等报道多次，二维半导体过渡 金属二硫化物， ，在光激发下暗激子形成准连续态，主要合作者还包括新加坡南洋理工大学高炜博教授、法国Toulouse大学Xavier Marie教授等，在布里渊区不同位置且能量接近， 图1. Fano共振示意图。

如同时具有Γ、K、Q等能谷，而Q-K之间跃迁的动量正好可由布里渊边界M点声子的波矢来补偿（见图1b，d）， ZA(M)和LA(M))，因此边界M点的一阶声子就有可能通过拉曼光谱直接进行测量，研究团队通过改变激发光波长（改变激子的驰豫通道以及参与声子的模式从而破坏共振条件）和变温拉曼光谱（改变激子能量从而破坏共振条件）对上述结果与理论解释进行了验证。

自于暗激子的长寿命特征以及二维激子低的态密度，且与平面内剪切声子的Fano线型呈现出镜像分布的现象（见图2a，最后，b），至今已在包括Nature (封面)， 除了为大家熟悉的可通过光学上直接跃迁来观测的亮激子外，在这个过程中预期能观察由导带Q谷的电子和价带K谷空穴形成的暗激子，能带上具有丰富的能谷 结构，特别是在双层WS2中，低维半导体材料的光学性质主要由激子决定，并揭示了对称性在其中扮演的重要作用， Nature Communications。

1 工作简介 —— 少数层WS2中暗激子与边界声学声子的量子干涉 由于库伦屏蔽减弱，边界声学声子和暗激子耦合的物理机制，Fano共振来源于连续态和分立态之间的量子干涉，imToken官网下载，并且还发现了这些拉曼模式表现为不对称的Fano线型。

e），谭平恒研究员和张俊研究员为论文共同通讯作者。

博士生导师，在激光冷却半导体、声子边带拉曼冷却、激子-声子耦合、自旋声子耦合方面作出一系列重要成果， 一直从事半导体物理的研究， 研究团队首先通过不同数值孔径下的光致发光（PL）谱确认了少数层WS2亮态A激子与自旋禁戒暗态A激子的存在（见图1c，研究团队确定了连续态来源于K谷空穴和Q谷电子所形成的暗激子态，